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Plasma Process Cluster 多腔等離子體工藝系統

簡要描述:l方案是適用于8吋晶圓的多腔等離子體沉積/刻蝕工藝系統l系統可用于研發和小批量生產l系統兼容8吋、6吋、4吋、3吋晶圓和不規則碎片

基礎信息

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更新時間

2024-10-22

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詳細介紹

l   方案是適用于 8 吋晶圓的多腔等離子體沉積/刻蝕工藝系統

l   系統可用于研發和小批量生產

l   系統兼容 8 吋、6 吋、4 吋、3 吋晶圓和不規則碎片;不同尺寸樣片之間的切換、無需反應腔的開腔破真空

l   系統包括:

一個六端口的轉接腔、帶機械手

六個端口分別連接:

1)一個 ALE 刻蝕腔模塊:用于 Al2O3, AlGaN, GaN 等的原子層刻蝕

2)一個ICPECVD 沉積腔模塊:用于沉積氧化硅、氮化硅、氮氧硅等介質膜

3)一個低溫 ICP-RIE 刻蝕腔模塊:配氟基氣體,主要用于低溫深硅刻蝕、常溫鍺刻蝕等

4)一個 loadlock 預真空室模塊:用于單片樣品的手動送樣

5)一個真空片盒站模塊:用于多片片盒的自動送樣

6)一個端口備用,未來可升級增加 1 個刻蝕或沉積反應腔模塊


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