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分子束外延薄膜沉積系統(tǒng)MBE

簡要描述:v分子束外延,是在超高真空系統(tǒng)中把所需要的結晶材料放入到噴射爐中,將噴射爐加熱

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更新時間

2024-10-22

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詳細介紹

v 分子束外延,是在超高真空系統(tǒng)中把所需要的結晶材料放入到噴射爐中,將噴射爐加熱。使結晶材料形成分子束,從爐中噴出后,沉積在溫度保持在幾的單晶基片上。如果設置幾個噴射爐,就可以制取多元半導體混晶,又可以同時進行摻雜。可以精確地控制結晶生長,進行沉積系統(tǒng)中結晶生長過程的研究

v 12個源爐:鎵、銦、鋁、砷、銻、磷、鉍、硅、鎂、摻雜等

v 襯底:4inch

v 溫度:1000°C 溫度均勻性:≤±3°C4inch

v 超高真空下全自動樣品轉移

v 用于過程控制和分析的所有現代現場監(jiān)控功能

v 一個集群上最多7個超高真空功能單元:裝載、儲存、翻轉、處理、排氣、生長,外部腔室

v 可連接其他分析設備或其他:ALDPLDPVD、金屬化、STM......

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