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v 應用領域:RCA清洗,濕法去膠,介質層濕法刻蝕,金屬層濕法刻蝕,爐管前清洗等
v 晶圓尺寸:100mm~300mm
v 設備配置:
? 支持化學液C.C.S.S.、L.C.S.S
? Marangoni dry 或 spin dry
? 自動換酸,自動補液、配液
? 加熱控制,濃度控制,流量控制,壓力控制等
? 槽體過溫保護,各單元配置漏液傳感器
? 支持化學液回收
? 全面支持SECS/GEM通訊協議
v 工藝指標:蝕刻非均勻性片內:≤4%;片間:≤4%;批次間: ≤4%;
v 顆粒控制:增加值<30顆@0.09μm(帶氧化硅膜測試,來料顆粒<50顆)
v 金屬離子:<5E9 atoms/cm2