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v 應用領域:Pillar,Bump,RDL,TSV等工藝
v 晶圓尺寸:150mm~300mm
v 設備配置:
? 最多3個loadport
? 最多24個電鍍腔體:Cu、Ni、Sn/Ag、Au
? 最多4個預濕腔體,4個清洗腔體
? 水平式電鍍腔體,無交叉污染
? 支持模塊化維護,提高設備正常運行時間
? 橡膠密封技術,更佳密封性能
? 陰陽極分離技術,更佳鍍液穩定性
v 工藝指標:
v 高度均勻性:WiW≤5% WtW≤5% RtR≤5%
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